嘉兴院士

沈天慧

　　女，1923年4月17日出生于浙江省嘉善县。化学家。童年在嘉善寺弄小学、文庙高级小学及县立初中读书。1949年毕业于上海大同大学化工系，同年考入中央研究院上海化学研究所工作。1957年被派往苏联科学院冶金研究所进修半导体材料专业，为期两年。回国后，先后在中国科学院长春应用化学研究所、156工程处和航天工业部77l研究所工作。曾任771所副所长兼第七研究室主任，航天部科技委员会委员，中国宇航学会第一届理事。现任上海交通大学学术委员会委员、上海交通大学信息存储研究中心研究员、上海交通大学微纳米加工技术重点实验室学术委员会主任、中国科学院上海冶金研究所信息材料国家重点实验室学术委员会主任、《薄膜科学与技术》编辑委员会顾问、国家自然科学奖化学科学部评审组成员、中国电子学会高级会员等职。1980年当选为中国科学院院士(学部委员)。
　　沈天慧教授主要致力于分析化学、半导体化学方面的研究工作，曾参加过硫酸根的测定、包头含稀土铁矿的全分析、钼矿的全分析、地下水的全分析等项科学研究。70年代初开始从事大规模集成电路的研究工作。曾采用三氯氢硅法制备超纯硅，进行了磁叠片存储器、玻璃半导体记忆材料等研究，取得了成果。参与了等平面N沟硅栅工艺制备MOS大规模集成电路的研究，特别是薄氧化层的研究，为超大规模集成电路的制备作出了贡献。1987年起任上海交通大学信息存储研究中心研究员，从事超大规模集成电路工艺——光化学气相淀积氮化硅的研究及其在集成电路上的应用，化学镀镍磷——磁表面保护故铁硼的研究，继续作出自己的贡献。

1．《包头白云鄂博稀土铁矿全分析方法的研究》(与梁树权合作)，1954年在全国稀土铁矿会议上学术交流。
2．《三氯氢硅法制取半导体超纯硅的研究》，1963年在全国半导体材料会议上学术交流。
3．《化学在集成电路中的作用》，载《化学通报》1984年第10期。
4．《化学气相淀积技术》(专题技术讲座连载1—22)，载《半导体杂志》1985年第6期至1992年第4期。
5．《超大规模集成电路工艺概况》，载《微电子学与计算机》1986年第3期。
6．《超大规模集成电路工艺：薄层硅外延》，载《微电子学与计算机》1987年第4期。
7．《超大规模集成电路工艺：超微细加工》，载《微电子学与计算机》1988年第5期。
8．《超大规模集成电路工艺：4氏温工艺》，载《微电子学与计算机》1989年第4期。
9．《超大规模集成电路工艺：金属化工艺》，载《微电子学与计算机》1991年第川期。
10．《光化学在超大规模集成电路中的应用》，载《真空应用》1986年第3期。
11．《硬磁盘化学镀非晶体Ni—P衬底的研究》，载《薄膜科学与技术》1992年第2期。
12．《Nd—Fe—B永磁体化学镀抗腐蚀保护层的研究》，载1992年《全国第三届固体薄膜学术会议论文集》。
13．《光化学气相淀积氮化硅的工艺研究》，载《微电子学与计算机》1993年第2期。
14．《光化学气相淀积氮化硅薄膜应用于提高器件的可靠性》，载《微电子学与计算机》1993年第9期。
15．《用多晶硅吸杂和Si02背封工艺提高硅片质量》，载《微电子学与计算机》1997年第2期。